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射频功率晶体管评估板 - ST(意法半导体)
ST射频功率晶体管评估板意法半导体提供了一系列单、双级DMOS与LDMOS RF功率晶体管评估板。 它们覆盖1~2000 MHz的频带,具有1~400 W的功率,可用于评估选定产品的功能和性能。 它们还可以在最终应用中充当功率放大器实例设计,以便缩短开发时间并削减成本。
ST意法半导体芯片型号(2025年11月12日)
P0102MA1AA3
晶闸管 - SCR
封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
STW36NM60ND
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:TO-247
STM32F205RFT6
嵌入式 - 微控制器
产品封装:64-LQFP
STW240N10F7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:TO-247
ST7FLITE29F2M6TR
嵌入式 - 微控制器
产品封装:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
STD3N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
器件封装:DPAK
HCF4021BM1
逻辑 - 移位寄存器
产品封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
STM32F401CCU7
嵌入式 - 微控制器
产品封装:48-UFQFN
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