A1P50S65M2-F技术参数详情：
A1P50S65M2-F是ST意法半导体基于ACEPACK1封装的三相IGBT功率模块。该模块集成了三个采用沟槽型场截止技术的IGBT单元，构成一个完整的650V/50A三相反相器桥臂，最大功率处理能力为208W。
其核心电气特性表现为低导通损耗，典型Vce(on)为2.3V @ 15V, 50A，有助于提升系统效率。模块内置NTC热敏电阻，支持结温监测，工作结温范围覆盖-40°C至150°C。紧凑的集成化设计简化了系统布局，使其成为工业电机驱动、变频器和伺服系统等应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:A1P50S65M2-F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 功率 - 最大值:208 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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