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A1P50S65M2-F
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：模块
技术参数：IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
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技术参数详情：
制造商产品型号：A1P50S65M2-F制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A功率-最大值：208W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A电流-集电极截止（最大值）：100μA不同?Vce时输入电容(Cies)：4.15nF @ 25V输入：标准NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：模块现在可以订购A1P50S65M2-F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
