L6393DTR技术参数详情：
L6393DTR是ST意法半导体生产的一款有源、表面贴装型半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC封装，提供卷带或剪切带包装。该器件专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，其核心卖点在于高达600V的高压侧耐受电压和10V至20V的宽范围驱动供电电压，确保了在高压功率应用中的安全隔离与稳定运行。
该驱动器具备非反相输入和同步通道，逻辑兼容性强（VIL/VIH为1.1V/1.9V），便于与各类控制器连接。其出色的动态性能，包括高达430mA/290mA的峰值输出电流以及75ns/35ns（典型值）的快速开关速度，能有效优化功率器件的开关特性，降低损耗。结合-40°C至125°C的宽工作结温范围，L6393DTR为电机控制、电源转换等工业应用提供了高效、可靠的驱动解决方案。
- 型号:L6393DTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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