L6494LD技术参数详情：
L6494LD是ST意法半导体的一款有源半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于同步驱动两个N沟道MOSFET或IGBT，其核心优势在于高达500V的自举电压能力和10V至20V的宽范围供电电压，为高压侧驱动提供了稳健的解决方案。
它具备2.5A拉电流和2A灌电流的强劲峰值驱动能力，结合25ns的典型开关速度，能有效优化功率器件的开关性能，降低损耗。其逻辑输入兼容CMOS/TTL电平，并具备宽工作结温范围（-40°C至125°C），确保了在工业级电源管理、电机控制等应用中的高可靠性和易用性。
- 型号:L6494LD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2.5A
- 输入类型:CMOS/TTL
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V
- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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