STB10NK60ZT4技术参数详情：
STB10NK60ZT4是意法半导体基于SuperMESH技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。其核心优势在于实现了600V高击穿电压与低至750毫欧（@10V Vgs）导通电阻的优异组合，同时将栅极电荷最大值控制在70nC，这共同确保了器件在高频开关应用中兼具低导通损耗与低开关损耗。
该器件在管壳温度下可承受10A的连续漏极电流和115W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备强大的功率处理能力和环境适应性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换系统中高压侧开关的理想选择，旨在提升系统整体效率和功率密度。
- 型号:STB10NK60ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB10NK60ZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
