STGB5H60DF技术参数详情：
STGB5H60DF是ST意法半导体生产的一款采用沟槽型场截止技术的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-263AB（DPak）表面贴装封装。该器件核心优势在于其600V的集射极击穿电压和10A的额定集电极电流，结合低至1.95V @ 5A的饱和压降，实现了优异的导通性能与功耗控制。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（开/关延迟典型值30ns/140ns）与较低的栅极电荷（43nC），有助于在高频应用中降低开关损耗。88W的最大功耗能力与-55°C至175°C的宽结温范围，确保了其在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和UPS等中功率能量转换应用的理想选择。
- 型号:STGB5H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:88 W
- 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:43 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
- 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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