STB28N65M2

STB28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）和20A（Tc）的高连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在提供高达170W（Tc）功率处理能力的同时，保持了低至180毫欧（@10A,10V）的导通电阻，这直接降低了导通损耗。此外，优化的栅极电荷（35nC @10V）和输入电容特性，使其具备快速开关能力，有助于提升高频开关电源的效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，支持高达150°C的结温，确保了在工业级应用环境下的稳健性与长寿命。

• 型号:STB28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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