STB70NFS03LT4技术参数详情：
STB70NFS03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，额定漏源电压为30V，在壳温25°C下可承载高达70A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通损耗与优秀的开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至9.5毫欧（@35A），能显著减少传导过程中的能量损失。同时，较低的栅极电荷（30nC @5V）和栅极阈值电压确保了快速、高效的开关动作，有助于提升整体电源系统的转换效率与功率密度。
- 型号:STB70NFS03LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STB70NFS03LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
