STD12N60DM2AG技术参数详情：
STD12N60DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装D-PAK（TO-252）封装，核心优势在于其600V的高漏源击穿电压，能够稳健应对汽车电子系统中严苛的电压应力环境，如负载突降。
其技术亮点源于先进的MDmesh DM2平台，该技术优化了器件的动态性能。通过实现极低的栅极电荷和输出电荷，显著提升了开关速度并降低了开关损耗，同时其快速体二极管有助于改善系统的电磁兼容性。这些特性使其特别适用于要求高效率和高可靠性的汽车动力总成与电源管理系统。
- 型号:STD12N60DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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