STD35NF3LLT4

STD35NF3LLT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用DPAK表面贴装封装。该器件设计用于低压、高电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力。

其漏源电压（V_DSS）为30V，在壳温条件下连续漏极电流（I_D）高达35A。关键参数显示，在10V V_GS和17.5A I_D条件下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为19.5毫欧，同时栅极电荷（Q_g）低至17nC（@5V），这共同实现了高效率的功率传输和快速的开关性能。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:STD35NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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