STD5N20T4

STD5N20T4是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用MESH OVERLAY技术，封装形式为表面贴装DPAK。该器件核心额定参数为漏源电压200V（Vdss），在壳温条件下连续漏极电流可达5A，为中压功率开关应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态性能与导通特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，同时栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）均保持在较小数值，这有助于实现高效率与快速的开关速度，从而降低系统整体功耗并简化驱动设计。器件支持高达150°C的结温工作，具备良好的热性能与可靠性。

• 型号:STD5N20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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