STF10NK50Z技术参数详情：
STF10NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压(Vdss)和9A的连续漏极电流(Id)，为高压应用提供了坚实的耐压和载流基础。
该器件的关键性能亮点在于其低导通电阻与优化的开关特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为700毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，39.2nC的栅极电荷(Qg)和较低的输入电容共同贡献了快速的开关速度和较低的驱动损耗，提升了系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠性。
- 型号:STF10NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1219 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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