STF40NF20技术参数详情:
STF40NF20是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220FP封装和先进的STripFET技术。其核心卖点在于优异的功率处理能力与效率平衡,具备200V的漏源电压和40A的连续漏极电流,能够满足中高功率应用的电气需求。
该器件在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(on))低至45毫欧(@20A),有效降低了导通状态下的功率损耗。同时,其栅极电荷(Qg)仅为75nC,输入电容(Ciss)为2500pF,这赋予了其快速的开关特性,有助于提升开关电源等应用的工作频率和整体效率。宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ)和40W的功率耗散能力,进一步确保了其在各种环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STF40NF20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):75 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):40W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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