STGWA25S120DF3技术参数详情：
STGWA25S120DF3是意法半导体生产的一款1200V、25A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件设计用于提供优异的功率处理效率与开关性能平衡。
其核心参数包括高达50A的连续集电极电流、2.1V @ 25A的低饱和压降，以及优化的开关能量（开启830J，关断2.37mJ），这直接转化为更低的导通与开关损耗。结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，使其能够在高要求的工业功率转换应用中确保高可靠性和高能效。
- 型号:STGWA25S120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:830J（导通），2.37mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/147ns
- 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):265 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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