STL36DN6F7

STL36DN6F7是ST意法半导体STripFET系列中的一款双N沟道功率MOSFET，采用8-PowerVDFN（PowerFLAT）表面贴装封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，专为高功率密度和高效率应用而优化。

其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达33A（Tc）的连续漏极电流处理能力。关键优势在于极低的导通电阻（27毫欧 @ 10V）和栅极电荷（8nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗58W，提供了强大的热性能和可靠性。

• 型号:STL36DN6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420pF @ 30V
• 功率 - 最大值:58W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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