STL38N65M5技术参数详情：
STL38N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用先进的垂直架构技术，实现了650V高漏源电压（Vdss）与低至105毫欧（@12.5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，旨在显著降低高压应用中的导通损耗。
其电气参数针对高效率开关应用进行了优化，最大栅极电荷（Qg）仅为71nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用热性能卓越的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150W（Tc）的功率耗散和150°C的结温，确保了在高功率密度设计中的可靠性与稳定性。这些特性使其成为工业电源、PFC电路和高端照明驱动等应用的理想选择。
- 型号:STL38N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta），22.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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