STP16NF06FP技术参数详情：
STP16NF06FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其60V的漏源电压和11A的连续漏极电流处理能力，能够胜任中等功率级别的开关任务。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻低至100毫欧（@8A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，13nC的较低栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用中实现高效能量管理的理想选择。
- 型号:STP16NF06FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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