STP2N62K3技术参数详情：
STP2N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心参数突出，具备620V的高漏源电压（Vdss）和2.2A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的耐压保障。
其技术亮点在于优异的开关性能与导通特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大15nC）和适中的输入电容（Ciss）确保了快速、高效的开关动作，这对于提升开关电源等应用的频率和效率至关重要。器件采用TO-220封装，最大结温150°C，功率处理能力达45W，展现出良好的热性能与可靠性。
- 制造商产品型号：STP2N62K3
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：SuperMESH3
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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