STP35N60M2-EP技术参数详情：
STP35N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与26A连续漏极电流（Id），专为高效的高压开关应用而设计。
其技术核心在于第二代增强型MDmesh结构，该技术旨在实现极低的单位面积导通电阻，从而显著降低导通损耗。结合优化的动态特性，如低栅极电荷，该器件能够实现快速的开关切换，有助于提升系统整体能效和功率密度。高达150°C的结温（TJ）确保了其在高温环境下的稳定运行，满足工业级应用的可靠性要求。
- 制造商产品型号：STP35N60M2-EP
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M2-EP
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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