STP5NB40技术参数详情：
STP5NB40是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其PowerMESH系列。该器件核心规格为400V漏源电压（Vdss）与4.7A连续漏极电流（Id），为中等功率开关应用提供了坚实的电压与电流处理能力基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。最大1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，而最大20nC的低栅极电荷（Qg）则有利于实现高速开关并减少驱动损耗。器件支持最高150°C结温，热性能可靠，适用于需要高效能量转换的电源与电机控制设计。
- 型号:STP5NB40
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 4.7A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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