STP5NB60技术参数详情：
STP5NB60是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其关键性能优势在于优异的动态与静态特性：最大导通电阻（Rds(on)）低至2欧姆（@10V， 2.5A），有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为30nC（@10V），确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低开关损耗。这些特性使其在开关电源和电机控制等应用中能够实现高效、可靠的功率切换。
- 型号:STP5NB60
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:884 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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