STS17NF3LL

STS17NF3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于30V的漏源电压（V_DSS）和高达17A的连续漏极电流处理能力，结合低至5.5毫欧（@10V V_GS）的导通电阻，能显著降低系统导通损耗。

该器件具备优异的开关特性，其最大栅极阈值电压（V_GS(th)）仅为1V，栅极总电荷（Q_g）最大值为35nC（@4.5V），这确保了其易于驱动并支持高频开关操作。宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应严苛的工作环境，适用于高效率DC-DC转换、电机驱动及负载开关等应用。

• 型号:STS17NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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