STWA40N60M2技术参数详情：
STWA40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-247通孔封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）与在壳温（Tc）条件下34A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的硬件基础。
其设计基于优化的MDmesh M2技术，旨在显著降低导通电阻并改善开关特性，从而提升电源转换效率。10V的标准栅极驱动电压便于电路设计，有助于实现更简洁、高效的驱动方案。这款MOSFET适用于要求高可靠性和高效率的功率转换场景，是工业级开关电源和能源转换系统的关键组件。
- 型号:STWA40N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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