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功率晶体管
功率晶体管 - ST（意法半导体）
面向高压和低压应用的先进电源技术以及多种封装选项和创新型晶片键合技术说明了意法半导体在功率晶体管领域的创新。我们的产品包括-500~1500V MOSFET、额定温度（200 °C）最高的碳化硅（SiC）MOSFET、击穿电压范围为350~1300V的IGBT和大量功率双极晶体管。
ST意法半导体芯片型号（2026/8/8）
TSM104ID
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
产品封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
STM32F091VBT7
集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
封装:100-LQFP（14x14）
STM32U5A5AJH3TR
集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
封装:169-TFBGA（7x7）
E-UC2842BD1013TR
集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > DC-DC 开关控制器
封装:8-SOIC
ST72F264G2M6/TR
集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
封装:28-SO
STM32G031K6T7
集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
封装:32-LQFP（7x7）
STEVAL-ISB007V1
开发板，套件，编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
封装:
ST3384EBDR
集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
封装:18-SO
ST意法半导体产品及应用
智能卡接口
以太网
Sound Terminal数字音频子系统
视频放大器
开发工具硬件
通信和接口评估板
保健和健康
计算机及外设解决方案评估板
ST意法半导体新闻
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面向高压和低压应用的先进电源技术以及多种封装选项和创新型晶片键合技术说明了意法半导体在功率晶体管领域的创新。我们的产品包括-500~1500V MOSFET、额定温度（200 °C）最高的碳化硅（SiC）MOSFET、击穿电压范围为350~1300V的IGBT和大量功率双极晶体管。
