面向高压和低压应用的先进电源技术以及多种封装选项和创新型晶片键合技术说明了意法半导体在功率晶体管领域的创新。我们的产品包括-500~1500V MOSFET、额定温度（200 °C）最高的碳化硅（SiC）MOSFET、击穿电压范围为350~1300V的IGBT和大量功率双极晶体管。