STB180N55F3技术参数详情：
STB180N55F3是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，设计用于中压、大电流的开关应用。
其核心电气参数定义了卓越的性能：55V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流能力，确保了在严苛功率路径中的可靠性。关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下Rds(on)最大值仅为3.5mΩ，这能显著降低传导损耗。同时，100nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作，减少驱动损耗。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动设计的理想选择。
- 型号:STB180N55F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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