STD46P4LLF6技术参数详情:
STD46P4LLF6是ST意法半导体推出的STripFET F6系列P沟道功率MOSFET,采用表面贴装DPAK封装。其核心优势在于极低的导通电阻(15毫欧 @ 10V, 23A)与优化的开关特性(栅极电荷34nC @ 4.5V),旨在实现高效率的功率转换与管理。
该器件额定参数为40V漏源电压与46A连续漏极电流(TC),最大结温达175°C,确保了在严苛条件下的可靠运行。其设计平衡了传导损耗与开关损耗,并兼容标准逻辑电平驱动,主要面向同步整流、DC-DC转换器、电机驱动及负载开关等对效率和功率密度有较高要求的应用。
- 型号:STD46P4LLF6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 23A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3525 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):70W(Tc)
- 工作温度:175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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