STL9N3LLH5

STL9N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V系列。该器件采用先进的沟槽工艺和紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）封装，在30V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续处理高达9A（T_C）的电流，其最大导通电阻低至19毫欧（@ 4.5A, 10V），有效降低了传导损耗。

其核心优势在于优异的开关性能与驱动便利性的结合。极低的栅极电荷（5nC @ 4.5V）和适中的栅极阈值电压（最大2.5V）确保了快速开关并兼容逻辑电平驱动，有助于提升开关电源的频率和效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和优化的封装散热设计，使其能够满足严苛环境下的高可靠性要求，是空间受限型高效功率转换应用的理想解决方案。

• 型号:STL9N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL9N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。